CY7C1911KV18-250BZCT
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Infineon Technologies CY7C1911KV18-250BZCT
| Artikelnummer: | CY7C1911KV18-250BZCT |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor |
| Teil der Beschreibung.: | IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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- Verpackung
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Infineon Technologies CY7C1911KV18-250BZCT Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments CY7C1911KV18-250BZCT.Produkteigenschaften Eigenschaften Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite - Spannungsversorgung 1.7V ~ 1.9V Technologie SRAM - Synchronous, QDR II Supplier Device-Gehäuse 165-FBGA (13x15) Serie - Verpackung / Gehäuse 165-LBGA Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Befestigungsart Surface Mount Produkteigenschaften Eigenschaften Speichertyp Volatile Speichergröße 18Mbit Speicherorganisation 2M x 9 Speicherschnittstelle Parallel Speicherformat SRAM Uhrfrequenz 250 MHz Grundproduktnummer CY7C1911 CY7C1911KV18-250BZCT Einzelheiten PDF [English] CY7C1911KV18-250BZCT PDF - EN.pdf -
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